英飛凌宣布推出全球最薄硅功率晶圓，成功將其硅功率晶圓的厚度減半至20微米（μm）。
據(jù)英飛凌電源和傳感器系統(tǒng)部門的Adam White介紹，與傳統(tǒng)硅晶圓相比，這種20微米的功率晶圓厚度減少了50%，基板電阻也相應(yīng)降低了50%，進(jìn)而使功率系統(tǒng)中的功率損耗減少了15%以上。
厚度20μm僅為頭發(fā)絲的四分之一，是目前最先進(jìn)的40-60μm晶圓厚度的一半。該技術(shù)已獲得認(rèn)可，并被應(yīng)用于英飛凌的集成智能功率級(jí)（直流-直流轉(zhuǎn)換器）中，且已交付給首批客戶。厚度改進(jìn)對(duì)于高端AI服務(wù)器應(yīng)用尤為重要，因?yàn)殡S著電流增大，能源需求也隨之上升。通過將電壓從230V降低到1.8V以下的處理器電壓，超薄晶圓技術(shù)大大促進(jìn)了基于垂直溝槽MOSFET技術(shù)的垂直功率傳輸設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了與AI芯片處理器的高度緊密連接，從而提高了整體效率。White表示，這種超薄晶圓將主要應(yīng)用于12V器件，用于下一代AI GPU、TPU和具有垂直功率的CPU的本地電源轉(zhuǎn)換。這些器件需要在0.8V電壓下提供1000至2000A的大電流，而超薄晶圓技術(shù)通過降低RDSon（導(dǎo)通電阻）40%，使得這些器件在性能上有了顯著提升。White指出，這一技術(shù)突破將引起40V及以下行業(yè)的極大興趣，并已經(jīng)與AI客戶進(jìn)行了深入互動(dòng)。此外，該技術(shù)還可應(yīng)用于消費(fèi)電子、電機(jī)控制和計(jì)算等領(lǐng)域。在談到超薄晶圓的處理技術(shù)時(shí)，White表示，300毫米晶圓的系統(tǒng)和處理是面臨的主要挑戰(zhàn)之一。然而，英飛凌通過遵循特殊步驟和增加工藝步驟，成功克服了這些障礙。與2016年推出的40微米晶圓相比，新的20微米晶圓工藝雖然增加了步驟，但并沒有引入額外的復(fù)雜性或資本支出。White強(qiáng)調(diào)，硅襯底上的加工過程非常出色，使得這一技術(shù)突破得以實(shí)現(xiàn)。 此外，White還透露，英飛凌正在掌握硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）這三種關(guān)鍵技術(shù)。他指出，硅將繼續(xù)在許多領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位，但英飛凌也在積極推進(jìn)SiC和GaN技術(shù)的發(fā)展。在SiC方面，英飛凌正在提升其200毫米晶圓產(chǎn)能；而在GaN方面，英飛凌已經(jīng)宣布了世界上第一個(gè)300毫米GaN功率晶圓，該晶圓具有高頻優(yōu)勢(shì)，適用于5MHz以上的應(yīng)用。
